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三极管(也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,但在英文里面的说法是千差万别的,
三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇
电子三极管Triode这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,
所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,
实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯,严谨地说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!
电子三极管Triode(俗称电子管的一种)
双极型晶体管BJT(BipolarJunctionTransistor)
J型场效应管JunctiongateFET(FieldEffectTransistor)
金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(MetalOxideSemi-ConductorFieldEffectTransistor)英文全称
V型槽场效应管VMOS(VerticalMetalOxideSemiconductor)
注:这三者看上去都是场效应管,其金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极(Unipolar)结构的,
是和双极(Bipolar)是对应的,所以也可以统称为单极晶体管(UnipolarJunctionTransistor)
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOSFET和VMOS都是绝缘型的场效应管
VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了V型槽,
使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了MOS的输入电容,是MOS管的一种大功率改进型产品,
但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
有两种意思:
1、MOS是MicrosoftOfficeSpecialist的英文开头字母缩写,是微软办公软件使用的国际认证:国际权威职业化办公认证。
2、MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)。
晶体管泛指所有半导体器件,包含N多种类,因此其也具有多种不同的分类方式。晶体管根据使用材料的不同可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管;根据极性的不同可分为NPN型晶体管和PNP型晶体管;根据结构和制造工艺的不同可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管;其还可根据电流容量的不同、工作频率的不同、封装结构的不同等分类方式分为不同的种类。但晶体管多指晶体三极管,主要分为双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET),接下来我们就以BJT和FET为例来讲述晶体管的工作原理。
晶体管工作原理——双极性晶体管
双极性晶体管,英语名称为BipolarTransistor,是双极性结型晶体管的简称,由于其具有三个终端,因此我们通常将其称为三极管。三极管由两个PN结构成,两个PN结将其分为发射区、基区和集电区,相应的产生三个电极:发射极、基极和集电极。
三极管的工作原理是酱紫的,首先,电源作用于发射结上使得发射结正向偏置,发射区的自由电子不断的流向基区,形成发射极电流;其次,自由电子由发射区流向基区后,首先聚集在发射结附近,但随着此处自由电子的增多,在基区内部形成了电子浓度差,使得自由电子在基区中由发射结逐渐流向集电结,形成集电极电流;最后,由于集电结处存在较大的反向电压,阻止了集电区的自由电子向基区进行扩散,并将聚集在集电结附近的自由电子吸引至集电区,形成集电极电流。
大功率晶体管用英语说是:Highpowertransistor
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