STI效应
STI是ShallowTrenchIsolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。
浅槽隔离利用高度各向异性反应离子刻蚀在表面切出了一个几乎垂直的凹槽。该凹槽的侧壁被氧化，然后淀积多晶硅填满凹槽的剩余部分。
等离子是如何对材料进行刻蚀的
等离子刻蚀的原理可以概括为以下几个步骤：
●在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团（Radicals）
●活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应生成物
●反应生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。
在平行电极等离子体反应腔体中，被刻蚀物是被置于面积较小的电极上，在这种情况，一个直流偏压会在等离子体和该电极间形成，并使带正电的反应气体离子加速撞击被刻蚀物质表面，这种离子轰击可大大加快表面的化学反应，及反应生成物的脱附，从而导致很高的刻蚀速率，正是由于离子轰击的存在才使得各向异性刻蚀得以实现。
详解一下电刻蚀工艺
电蚀刻是利用金属在以自来水或盐水为蚀刻主体的液体中发生阳极溶解的原理，(电解的作用下)将金属进行蚀刻，接通蚀刻电源，从而达到蚀刻的目的。
现在市售的电解蚀刻机都是手动喷淋式的，并且都是以盐水为蚀刻溶液，功率有大小二种。
优点:无污染，但只有蚀刻一个步骤无污染是不行的，其他工序也必须无污染，适合实验生产、凹字小面积蚀刻。
什么是同向刻蚀
同向刻蚀（anisotropicetching）是指刻蚀液对晶体材料表面沿一定晶向进行的刻蚀作用，刻蚀液和被刻蚀晶体的相对取向是关键因素。刻蚀液可以是化学溶液，也可以是等离子体或离子束。同向刻蚀可以形成非常光滑、垂直于晶体表面和宽度非常小的沟槽，用于制作半导体器件中的金属互连线、电容器和晶体管。
什么是等离子刻蚀
首先是要利用气压为10～1000帕的特定气体（或混合气体）的辉光放电，产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团，生成的反应产物是挥发性的。
它在低气压的真空室中被抽走，从而实现刻蚀。通过选择和控制放电气体的成分，可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率，但刻蚀精度不高.刻蚀工艺的原理和目的
刻蚀工艺是一种通过化学或物理方法去除材料表面的工艺。其原理是利用化学溶液或离子束等对材料进行腐蚀或剥离，从而实现对材料表面的精确加工和微细结构的制备。
刻蚀工艺的目的是实现微电子器件的制造、光学元件的加工、纳米结构的制备等。通过刻蚀工艺，可以实现微细加工、表面改性、结构调控等，从而满足不同领域对材料的特定需求。
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